方柱微结构芯片射流冲击流动沸腾换热实验研究
发布时间：2025-04-30
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- 发布时间：
- 2025-04-30
- 论文名称：
- 方柱微结构芯片射流冲击流动沸腾换热实验研究
- 发表刊物：
- 西安交通大学学报, 2011, 45(1): 31-37.
- 摘要：
- 对喷射条件下的电子芯片在FC-72中流动沸腾换热进行了研究。并和同工况下的光滑芯片作了对比。实验选取的工况如下：过冷度为25、35℃，横流速度Vc分别为0.5、1、1.5m/s，喷射速度Vj分别为0、1、2m/s，实验采用的硅片尺寸为10 mm×10 mm×0.5 mm，通过干腐蚀技术在其表面加工出30μm×120μm、50μm×120μm的方柱微结构。结果实验表明，所有芯片换热性能都随过冷度和流速的增加而提高，方柱微结构能明显的强化芯片换热，而射流冲击进一步提高了芯片在高热流密度下的换热性能。同一横流速度下，喷射速度越大，换热性能越好。随着横流速度的增加，冲击的强化效果减弱，临界热流密度值增幅减小。
- 合写作者：
- 郭栋, 魏进家*, 张永海
- 卷号：
- 45(1)
- 页面范围：
- 31-37
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2010-06-21