Enhanced Thermal-Electrical Interconnect for Single-Sided Cooling SiC MOSFET Power Device Based on Polycrystalline Diamond
发布时间：2026-03-10
点击次数：
- 发布时间：
- 2026-03-10
- DOI码：
- 10.1109/TPEL.2025.3587709
- 论文名称：
- Enhanced Thermal-Electrical Interconnect for Single-Sided Cooling SiC MOSFET Power Device Based on Polycrystalline Diamond
- 发表刊物：
- IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
- 合写作者：
- 裴云庆,甘永梅
- 第一作者：
- 王来利
- 卷号：
- 40
- 期号：
- 11
- 页面范围：
- 16327-16340
- ISSN号：
- 0885-8993
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2025-12-03
- 收录刊物：
- SCI